DC-parameters
Verzadigingsafvoerstroom (IDSS): Gedefinieerd als de afvoerstroom wanneer de gate-source-spanning nul is, maar de drain-source-spanning groter is dan de afknijp-off-spanning.
Pinch-off Voltage (UP): Gedefinieerd als de UGS die nodig is om de ID terug te brengen tot een zeer kleine stroom wanneer UDS constant is.
Take{0}}off Voltage (UT): Gedefinieerd als de UGS die nodig is om de ID op een bepaalde waarde te brengen wanneer UDS constant is.
AC-parameters
AC-parameters kunnen worden onderverdeeld in twee categorieën: uitgangsweerstand en laagfrequente transconductantie. De uitgangsweerstand ligt doorgaans tussen tientallen en honderden kilohm, terwijl de laagfrequente transconductantie over het algemeen in het bereik van enkele tienden tot enkele millisievert ligt, waarbij sommige 100 ms of zelfs hoger bereiken.
Laag-frequente transconductantie (gm): Beschrijft het regeleffect van de gate-source-spanning op de drainstroom.
Inter{0}}elektrodecapaciteit: de capaciteit tussen de drie elektroden van een MOSFET. Een kleinere waarde duidt op betere transistorprestaties.
Beperkende parameters
① Maximale afvoerstroom: de bovengrens van de toegestane afvoerstroom tijdens normaal bedrijf van de transistor.
② Maximale vermogensdissipatie: het vermogen in de transistor, beperkt door de maximale bedrijfstemperatuur van de transistor.
③ Maximale afvoer-bronspanning: de spanning waarbij lawine-uitval optreedt, wanneer de afvoerstroom scherp begint te stijgen.
④ Maximale poort-bronspanning: de spanning waarbij de sperstroom tussen de poort en de bron scherp begint te stijgen.
Naast de bovenstaande parameters zijn er nog andere parameters, zoals de inter-elektrodecapaciteit en hoog-hogefrequentieparameters.
Afvoer- en brondoorslagspanning: Wanneer de afvoerstroom sterk stijgt, treedt de UDS (Upper Demand) op tijdens lawine-afbraak.
Poortdoorslagspanning: tijdens normale werking van een junctieveld-effecttransistor (JFET), is de PN-overgang tussen de poort en de bron in tegengestelde richting-voorgespannen. Als de stroom te hoog is, zal er een storing optreden.
De belangrijkste parameters waarop u zich tijdens het gebruik moet concentreren, zijn:
1. IDSS-Verzadigingsafvoer-bronstroom. Dit verwijst naar de afvoer-bronstroom in een junctie of uitputting-type geïsoleerd-poortveld-effecttransistor wanneer de poortspanning UGS=0.
2. UP-Pinch-off-spanning. 3. **UT-Take-on Voltage:** De poortspanning waarbij de drain-source-overgang zojuist is uitgeschakeld in een junctie-type of uitputting-type geïsoleerde-poortveld-effecttransistor (IGFET).
4. gM-Transconductantie: vertegenwoordigt het regelvermogen van de poort-bronspanning UGS over de afvoerstroom-ID, dwz de verhouding van de verandering in afvoerstroom-ID tot de verandering in poort-bronspanning UGS. gM is een belangrijke parameter voor het meten van het amplificatievermogen van een IGFET.
5. BUDS-Drain-Source Breakdown Voltage: de maximale drain-source-spanning die de IGFET kan weerstaan onder normale werking wanneer de gate-source-spanning UGS constant is. Dit is een beperkende parameter; de bedrijfsspanning die op de IGFET wordt toegepast, moet lager zijn dan BUDS.
6.PDSM-Maximale vermogensdissipatie: Dit is ook een beperkende parameter. Deze verwijst naar de maximaal toegestane stroomdissipatie-van de bron zonder de prestaties van de IGFET te verslechteren. Bij gebruik moet het werkelijke stroomverbruik van de IGFET lager zijn dan PDSM met een bepaalde marge.. 7. **IDSM-Maximale afvoer-Bronstroom:** IDSM is een beperkende parameter die verwijst naar de maximale stroom die mag passeren tussen de afvoer en de bron van een veld-effecttransistor (FET) tijdens normaal bedrijf. De bedrijfsstroom van de FET mag IDSM niet overschrijden.
