Industrie-informatie

Op materiaal: siliciumtransistors, germaniumtransistors

Op 23 december 1947 kwamen in Bell Labs in Murray Hill, New Jersey drie wetenschappers – Dr. Bardeen, Dr. Brighton en Dr. Shockley voerden experime...

Een bipolaire junctietransistor (BJT) is een halfgeleiderapparaat met drie- aansluitingen dat bestaat uit twee PN-overgangen, gevormd door de emitt...

Voor het meten van de voorwaartse bias toont het display de voorwaartse spanning (0,5-0,7V voor siliciumdiodes, 0,2-0,3V voor germaniumdiodes).

Let op de markeringen op de behuizing. Op de behuizing staat meestal een diodesymbool; het uiteinde met de driehoekige pijl is de positieve pool en...

Er zijn veel soorten diodes. Op basis van het gebruikte halfgeleidermateriaal kunnen ze worden onderverdeeld in germaniumdiodes (Ge-diodes) en sili...

Een kristaldiode is een ap-n-overgang gevormd door p-type en n-type halfgeleiders. Aan beide zijden van het grensvlak vormt zich een ruimteladingsl...

Een diode is een apparaat met twee- aansluitingen, bestaande uit een halfgeleider van het type ap- (gedoteerd met driewaardig boor) en een halfgele...